Swap en Debian

Step 1: Create a folder

sudo mkdir /media/Skliros_Diskos

Step 2: Mount NTFS filesystem

sudo mount -t ntfs-3g /dev/sdb1 /media/Skliros_Diskos

MONTAR LA SWAP 

swapon /media/usu/10E46A1BE46A0378/GRAL.swap

swapon /media/hd1/GRAL.swap


sudo -i

swapon /media/lubuntu/10E4678/GRAL.swap

sysctl vm.swappiness=70

sudo sysctl -w vm.vfs_cache_pressure=80

 

Observación en microscopio óptico e imágenes Raman.

1.1.1          2.4.1 Observación en microscopio óptico e imágenes Raman.

En miscroscopio óptico se pudieron observar dislocaciones y poros en todas las muestras, sin embargo su densidad es diferente para cada muestra de diferente grosor de película de carbono.

se hicieron fotografías raman en la frecuencia  de 1300 cm-1 correspondiente a la vibración de sp2 (diamante) del carbono.  La presencia de carbono se evidencio en todas las muestras, sin embargo se observaron también poros y dislocaciones, que eran mas evidentes en la muestra que recibió menos carbono , y casi ausentes en la que mas carbono recibió.

Las observaciones opticas, aunadas a las imágenes Raman permitieron  llegar a la conclusión de que en las muestras que mas carbono recibieron, los poros  permanecen ocultos bajo el film de carbono, mientras que en las muestra que menos carbono recibió, los poros quedaron abiertos hacia afuera directamente, ya que el carbono no fue suficiente para cubrirlos.

Las observaciones en el microscopio optico se realizaron usando luz normal y laser rojo, bajo el cual fue posible discernir particulas cristalinas que reflejaban la luz y opacas correspondientes al carbono DLC que permanecían obscuras . además de evidenciar el relieve ondulado en distintos grados de la superficie del film según el grosor del film de carbono recibido..

a) 

b) 

c) 

1.1.2        2.4.3 Электрические измерения

Se midio la condictividad, el coeficiente de Hall, la movilidad , y la densidad y movilidad de portadores respecto de la temperatura. Y se calculo el ancho de banda característico del film de carbono restante en la superficie de la muestra mas gruesa.

2.4.3.1 волт-амперная характеристика и температурная  зависимость от сопротивления

También se midió la relación Tension Corriente de la muestra 773 bajo ciertas temperaturas. Se obtuvieron líneas rectas, manifestando el carácter resistivo de la película de carbono.

Volt-Amper characteristic of 773 sample, showing ohmic conductivity of carbón.

De la serie de mediciones se obtuvo también el grafico de resistividad respecto de la temperatura y el ancho de banda prohibida , correspondiente a DLC y que coincide cercanamente a lo publicado en la literatura.

Se uso Tambien el metodo de cuatro puntas paras medir la resistividad de la muestra, y se obtuvo el siguiente grafico , de ahi se encontro que el ancho de banda prohibida es parecido al obtenido anteriormente

2.4.3.3 hall effect and carrier density.

Коэфициент Холла , плотностъ носителей , подвижностъ , были измерены

2.4 Experimento

1.1        2.4 Experimento

Conociendo el grosor del film obtenido se depositaron 3 muestras de 4, 11 y 15 nanometros de carbono la mas delgada es la 771, la siguiente 772 y la mas gruesa 773

a)b)

c)

Optic microscopy of thin films as deposited a)771 4nm. b)772 11nm. c)773 15nm. Rougness and splashing can be appreciated on these thin films, appearing more frequently on filmes gruesos, qe en los delgados.

Estos filmes se sometieron a anneado a 1470 grados centígrados durante 50 segundos  , en capsulas de cuarzo, con atmosfera de argón y presión constante de 1 atm.

Foto de la cámara del telefono

1.1.1        2.4.2 Raman. Espectro característico.

Se hizo la lectura de espectro Raman para las tres muestras.  El espectro Raman se dividio en secciones para su análisis:

1.1.1.1         2.4.2.0 SiO2

Estos picos corresponden a cristobalita y cuarzo (se sabe que el SiO2 recristaliza a temperaturas superiores a 800 grados centigrados). En las graficas se observan  tambien los picos caracteristicos del Silicio Cristalino, cuya principal frequencia se ve atenuada, dependiendo del grosor del film de carbon depuesto .

a)b)

c)d)

a) Si/SiO2 Raman region of 771 sample. b) sample 772. c) sample 773. d) Raman Spectra from SiO2 cristobalite and quartz, from early investigations.

Fig. 5 Raman spectra for bulk Si, Si NPs, Si NSs, and Si NRs. The inset figure is an enlargement of the peaks framed in dotted rectangle.

Formation mechanism and optical characterization of polymorphic silicon nanostructures by DC arc-discharge
July 2015RSC Advances 5(84):68714-68721
DOI: 10.1039/C5RA11738K
Jieyi YuJian GaoF.-H XueF.-H XueShow all 10 authorsGuozhong CaoGuozhong Cao

https://www.researchgate.net/publication/282526534_Formation_mechanism_and_optical_characterization_of_polymorphic_silicon_nanostructures_by_DC_arc-discharge

1.1.1.2         2.4.2.1 SiC

Se observa la presencia de 3С-SiC en estos picos caracteristicos.

a)b)

c)

Presencia de 3C-SiC en las tres muestras con diferentes tiempos de deposición de film de carbono. Dado el tiempo de anneado igual para las tres muestras, la intensidad de los picos correspondientes a 3C-SiC es la misma

​Figure 2 shows a representative Raman spectra from a SiC film on Si (111) measured at the void and outside the void. The feature seen in the range 900–1100 cm⁻¹ is associated with second-order Raman scattering from the Si [15]. The characteristic transverse optical (TO) and longitudinal optical (LO) phonon modes are observed at ~794 cm⁻¹ and ~968 cm⁻¹, respectively. This confirms that the SiC layers analysed in this work mainly consist of a cubic polytype structure [5,16].
A low intensity shoulder, clearly observed at ~764 cm⁻¹ near the TO band, indicates the presence of a small amount of the 6H-SiC polytype in this SiC layer. From Fig. ​2a and ​2b, the TO peak at 794 cm⁻¹ demonstrates asymmetry from the low-frequency side. At the same time, in accordance with Nakashima [5], structural disorder in the SiC leads to a symmetrical widening of all the TO peaks. We conclude that the observed asymmetry of the TO peak is due to the presence of a 6H-SiC peak at ~789 cm⁻¹, clearly demonstrated by fitting of the TO band in Fig. ​Fig.2b.2b. From the fit, the linewidth of the band at ~794 cm⁻¹ is approximately ~7.8 cm⁻¹. This is 2.5 cm⁻¹larger than that for relaxed 3C-SiC on a 6H-SiC substrate in Ref. [17]. 

https://www.researchgate.net/publication/258424685_Nanocatalytic_Growth_of_Si_Nanowires_from_Ni_Silicate_Coated_SiC_Nanoparticles_on_Si_Solar_Cell/figures?lo=1

Nanocatalytic Growth of Si Nanowires from Ni Silicate Coated SiC Nanoparticles on Si Solar Cell
September 2013 Journal of Nanoscience and Nanotechnology 13(9):6189-95
DOI: 10.1166/jnn.2013.7691
Bhaskar Parida, Jaeho Choi, Hyung Yong Ji, Keunjoo Kim

Fig. 4. Raman spectra of (a) the microtextured Si solar cell coated with SiC nanoparticles and (b) the annealed Si solar cell with the formation of Si nanowires at 1100 C under a H 2 ambient atmosphere.

2.4.2.2 Carbono

Especial interés presenta el sector correspondiente al carbono, donde es evidente la diferencia  en los niveles de intensidad de los picos de carbono, asi como su composicion diamond like carbón.

DLC can be considered as a metastable form of carbon material covering the spectrum between diamond and graphite. But unlike crystalline graphite or diamond, which consists of 100% sp² and 100% sp³, respectively, hybridized carbon atoms, DLC films have a mixture of sp³ and sp²  bonding and are generally amorphous, due to the lack of a long range.

diamondLike carbon qian1999.pdf

High intensity femtosecond laser deposition of diamond-like carbon thin films
F. Qian, V. Craciun, R. K. Singh, S. D. Dutta, and P. P. Pronko
Citation: Journal of Applied Physics 86, 2281 (1999); doi: 10.1063/1.371043
View online: http://dx.doi.org/10.1063/1.371043

Raman spectra (different proportion of sp2 and sp3)

El coeficiente Id/Ig muestra una estuctura diamante pedominante, además el grueso de los picos de D y G muestran tamanos de grano de :

Y la probable presencia de hojuelas de grafeno